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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																		Maximum Drain Source Resistance (MOhm)														厂商																																																		操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	子类别	最大功率耗散	技术	端子位置	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	配置	元素配置
IPA50R190CEXKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	190@13V	15.99	4.7	10.5	3		Tab	TO-220	TO-220FP	通孔	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	IPA50R190CEXKSA1	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.75	TO-220AB								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	500	20	3.5	24.8	100	1	47.2@10V	47.2	1137@100V	32000	7.5	8.5	54	9.5	-40	150	通孔		Tube			有	Obsolete						FET 通用电源		SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明	compliant	3		R-PSFM-T3		Single		增强型MOSFET					SWITCHING					N-CHANNEL		TO-220AB		18.5 A	0.19 Ω		63 A		500 V	N	339 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	32 W
BUK7K17-60EX	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14@10V										符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	2	60	20	4	30	100	1	23.6@10V	23.6	1183@25V	53000	11	11.1	15.5	7.6	-55	175	汽车	表面贴装	1.05(Max)		4.7(Max)	5.3(Max)	8	LFPAK-D			卷带				活跃													8				双排双泄																					N
MDF3N50TH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	3	2500@10V	Enhancement								供应商未确认		EAR99	Unknown	Unknown	1	500	5	6.8	通孔	16.13(Max)	4.93(Max)	10.71(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220F	Compliant	14.6 ns	TO-220F	+150 °C	-55 °C						Unconfirmed			150 °C	-55 °C			30.5 W						3				Single	Single				9 ns								2.8 A		30 V				285 pF		N					2.5 Ω			16.13 mm	10.71 mm	4.93 mm	无
MML60R190PTH	MagnaChip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	3	190@10V								Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	超级交界处	Enhancement	1	600	±30	4	20	100	1	51@10V	51	1630@25V	154000	47	73	146	32	-55	150	通孔	9.65(Max)	4.83(Max)	10.29(Max)	3	Tab		I2PAK	TO-262	通孔	Non-Compliant	146 ns			Tube				Unconfirmed			150 °C	-55 °C			154 W						3				Single	Single			32 ns								20 A		30 V					1.63 nF		N					190 mΩ			11.05 mm	10.29 mm	4.63 mm
IXTP2N65X2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			符合免除	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	650	±30	5	2	100	5	2300@10V	4.3	180@25V	55000		14	19	20	15	-55	150	通孔	9.15(Max)	4.83(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-220															活跃													3				Single																					N
BUK9K12-60EX	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10.7@10V								符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	2	60	10	2.1	35	100	1	24.5@5V	2602@25V	68000	25.3	28	31.5	15.1	-55	175	汽车	表面贴装	1.05(Max)	4.7(Max)		5.3(Max)	8	LFPAK-D					卷带				活跃													8				双排双泄																					N
PMXB120EPEZ	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	120@10V	1	41	1070	7	11	16	4		-55	150	1070	10	312	0.8	2.7	1.2	1.5	20	2.4	表面贴装	0.36(Max)	1	1.1	3	DFN-D EP											Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	20	2.5	-55 to 150	2.4	10000	1	6.2@10V	6.2	1.1	0.9	309@15V	32@15V		卷带				活跃												3				Single																						P
SP001075902	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3@10V@Q 1\|0.8@10V@Q 2		150	6.25	160	50	0.84@Q 1\|0.77@Q 2	2.6@Q 1\|2.3@Q 2	1	1.6	1.2	16											符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	OptiMOS 5	Enhancement	2	25	±16	2	-55 to 150	31@Q 1\|50@Q 2	100	1	[email protected]@Q 1\|[email protected]@Q 2	1.4@Q 1\|4.7@Q 2	2@Q 1\|6.4@Q 2	10@Q 1\|20@Q 2	780@12V@Q 1\|2700@12V@Q 2	38@12V@Q 1\|130@12V@Q 2	1.2	390@Q 1\|1400@Q 2	6250	1.4@Q 1\|2.6@Q 2	4.7@Q 1\|4.3@Q 2	4.3@Q 1\|8.8@Q 2	4.3@Q 1\|5.6@Q 2	-55		卷带				活跃																Dual																						N
PSMN023-40YLCX	Nexperia	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23@10V				供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	NextPower	Enhancement	1	40	20	1.95	24	100	1	8.4@10V\|8@10V\|[email protected]	8.4\|8	520@20V	25000	3.1	3.8	9.9	6.2	-55	175	表面贴装	1.1(Max)	4.1(Max)	5(Max)	4	Tab		LFPAK													Obsolete													5				单一三源																					N
SPI80N06S208NK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8@10V				不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	80	72@10V	72	2860@25V	215000	14	15	32	14	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262		通孔													Obsolete													3				Single																					N
BSS126L6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	3	500000@10V	EAR99	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Depletion	1	600	±20	0.021	1.4@5V	21@25V	500	115	9.7	14	6.1	-55	150	汽车	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	1		Compliant									Compliant		卷带				Obsolete			150 °C	-55 °C									3				Single			500 mW									21 mA		20 V							N
IPB114N03LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11.4@10V		Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	30	14@10V	14	1100@15V	38000	2.4	3	15	3.8	-55	175	表面贴装	4.57(Max)	9.45(Max)	10.31(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing												卷带				Obsolete													3				Single																					N
MTD2955ET4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	300@10V				不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±15	12	16@10V	16	565@25V	1750	8	39	17	9	-55	150	表面贴装	2.38(Max)	6.35(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252		DPAK	Gull-wing								卷带				Obsolete													3				Single																					P
MTW45N10E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35@10V						不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	45	106@10V	106	3480@25V	180000	116	234	83	25	-55	150	通孔	20.9	5.21	15.95	3	Tab	TO-247		TO-247	通孔							Rail				Obsolete													3				Single																					N
IRFC9140NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies				不合规		8541.29.00.40	Unknown	Unknown	Bulk	23A	10V	-	Obsolete					-		HEXFET®			Obsolete								MOSFET (Metal Oxide)															-		117mOhm @ 23A, 10V	-	100 V	-															-
IPP80N06S208XK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8@10V				Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	Unknown	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	80	72@10V	72	2860@25V	215000	14	15	32	14	-55	175	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	TO-220	TO-220		通孔									Tube				Unconfirmed													3				Single																					N
2N6782JANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	690@10V	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	3.5	6.5(Max)@10V	6.5(Max)	180@25V	15000	20(Max)	25(Max)	25(Max)	15(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔												不合规						活跃													3				Single																					N							9.22(Max)
2N6756JANTXV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	210@10V						不合规	EAR99	8541.21.00.75	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	14	35(Max)@10V	35(Max)	650@25V	75000	45(Max)	80(Max)	60(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	7.74(Max)	25.53(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-204-AA		TO-204AE	通孔											活跃													3				Single																					N
JANTX2N6796U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 years ago)	表面贴装	YES	18	15	SILICON	207@10V	LLCC		No Lead	8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080	Non-Compliant	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	无	JANTX2N6796U	RECTANGULAR	Microsemi Corporation	1	Obsolete	MICROSEMI CORP	7.72	LCC	8 A					不合规	EAR99	8541.10.00.80	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	8	29(Max)@10V	29(Max)	660@25V	25000	45(Max)	75(Max)	40(Max)	30(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.22(Max)	7.49(Max)	9.14(Max)	18	LLCC		Bulk		e0	无	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	125 °C	-55 °C	HIGH RELIABILITY			QUAD	无铅	未说明	compliant	18	MIL-19500/557	R-CQCC-N15	Qualified	单六进制漏八进制源双门		增强型MOSFET	25 W	SOURCE			SWITCHING			100 V		N-CHANNEL	5 A		20 V		0.195 Ω	100 V	32 A		100 V	N	134 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		180 mΩ	200 mΩ	无	含铅
2N7334JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	800@10V	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	1	15(Max)@10V	15(Max)	180@25V	1400	40(Max)	25(Max)	40(Max)	20(Max)	-55	150	Military	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB												不合规						活跃													14				Quad																					N
2N6790JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	850@10V	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	3.5	14.3(Max)@10V	14.3(Max)	260@25V	20000	50(Max)	50(Max)	50(Max)	40(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔												不合规						活跃													3				Single																					N							9.22(Max)
DATA-2N7336JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	800@10V@N Channel\|1730@10V@P Channel	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	1@N Channel\|0.75@P Channel	15(Max)@10V	15(Max)	180@25V@N Channel\|200@25V@P Channel	1400	40(Max)	25(Max)@N Channel\|60(Max)@P Channel	40(Max)	20(Max)@N Channel\|30(Max)@P Channel	-55	150	Military	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB												不合规						活跃													14				Quad																					N\|P
SI4463DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±12	11.5	[email protected]	[email protected]	4481@10V	2500	60	15		120	15	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8	SOP	SOIC N	Gull-wing													卷带				Obsolete													8				单四漏三源																					P
SI3445DV	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±8	5.5	[email protected]	[email protected]	1926@10V	1600	45	11	90		13	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.7(Max)	3(Max)	6	SuperSOT	Gull-wing												Compliant	EAR99	无	无		卷带				Obsolete													6				单四排液																					P
SI4884DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10@10V	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	30	±20	11.5	19@5V	2070@15V	2500	13	10	36	13	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8	SOP	SOIC N	Gull-wing												供应商未确认	EAR99	无						Obsolete													8				单四漏三源																					N